外延片
CEESCH-GaN
厚的半绝缘GaN层基板材料和直径的选择。产品是适合加工肖特基氮化镓整流器。
CEEFET-20AlGaN-NoSiN
GaN HEMT的结构与20％的AlGaN势垒罪基板材料和直径的选择没有任何原位钝化层。此产品适用于处理HEMT的开关。
CEEFET-23AlGaN-NoSiN
GaN HEMT的结构与23％的AlGaN势垒罪基板材料和直径的选择没有任何原位钝化层。此产品适用于处理HEMT的开关。
CEEFET-26AlGaN-NoSiN
GaN HEMT的结构与26％的AlGaN势垒罪基板材料和直径的选择没有任何原位钝化层。此产品适用于处理HEMT的开关。
CEEFET-20AlGaN-SiN
GaN HEMT的结构与20％的AlGaN势垒和原位氮化钝化层基板材料和直径的选择。此产品适用于处理HEMT的开关。
CEEFET-23AlGaN-SiN
GaN HEMT的结构，23％的AlGaN势垒和原位氮化钝化层基板材料和直径的选择。此产品适用于处理HEMT的开关。
CEEFET-26AlGaN-SiN
GaN HEMT的结构与26％的AlGaN势垒和原位氮化钝化层基板材料和直径的选择。此产品适用于处理HEMT的开关
Custom
基板材料和直径的选择所需的氮化镓，氮化铝镓和AlN层的组合组成的自定义的外延层。铁或氮掺杂GaN缓冲层可以减少缓冲区漏电流。 Mg掺杂和含合金是目前无法使用。
pdf规格说明书
敬请期待